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南晶电子 B5817PL 5818PL B5819PL 贴片肖特基二极管
品牌：南晶型号：B5817PL B5818PL B5819PL正极材料：硅负极材料：硅封装方式：塑封额定正向整流电流：1A最大正向压降：1V反向恢复时间：1ns外形尺寸：详见报告mm功耗：见规格书东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置大功率整流
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2019-11-27 |
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南晶电子SF51G-SF58G 插件超快恢复二极管
品牌：南晶型号：SF51G-SF58G半导体材料：硅管脚引出方式：详见报告内部结构：详见规格书封装方式：玻璃封装最大反向工作电压：10-1000V击穿电压：1-1000V额定整流电流：1-200A最大反向漏电流：1-200A外形尺寸：1-1-1mm功耗：1-100东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括
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2019-11-03 |
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南晶电子MUR410G-MUR4100G 插件超快恢复二极管
品牌：南晶型号：MUR410G-MUR4100G半导体材料：硅管脚引出方式：详见报告内部结构：详见规格书封装方式：玻璃封装最大反向工作电压：10-1000V击穿电压：1-1000V额定整流电流：1-200A最大反向漏电流：1-200A外形尺寸：1-1-1mm功耗：1-100东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产
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2019-08-06 |
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南晶电子SF21G-SF28G 插件超快恢复二极管
品牌：南晶型号：SF21G-SF28G半导体材料：硅管脚引出方式：详见报告内部结构：详见规格书封装方式：玻璃封装最大反向工作电压：10-1000V击穿电压：1-1000V额定整流电流：1-200A最大反向漏电流：1-200A外形尺寸：1-1-1mm功耗：1-100东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括
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2019-07-10 |
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厂家供应南晶电子ES1A-ES1M 贴片超快恢复二极管
品牌：南晶型号：ES1A-ES1M半导体材料：硅管脚引出方式：详见报告内部结构：详见规格书封装方式：玻璃封装最大反向工作电压：10-1000V击穿电压：1-1000V额定整流电流：1-200A最大反向漏电流：1-200A外形尺寸：1-1-1mm功耗：1-100东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括二
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2019-06-07 |
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南晶电子SF31G-SF38G 插件超快恢复二极管
品牌：南晶型号：SF31G-SF38G半导体材料：硅管脚引出方式：详见报告内部结构：详见规格书封装方式：玻璃封装最大反向工作电压：10-1000V击穿电压：1-1000V额定整流电流：1-200A最大反向漏电流：1-200A外形尺寸：1-1-1mm功耗：1-100东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括
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2019-06-05 |
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南晶电子 SRF2020CT-SRF20200CT 插件肖特基二极管
品牌：南晶型号：SRF2020CT-SRF20200CT正极材料：硅负极材料：硅封装方式：插件反向峰值电压：20-40vV额定正向整流电流：3.0aA最大正向压降：20-40vV反向恢复时间：详见报告ns外形尺寸：9.5*1.0*1.0mm功耗：详见规格书东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括二极管、整流
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2019-06-02 |
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南晶电子 SR1545L-SR1580L 贴片肖特基二极管
品牌：南晶型号：SR1545L-SR1580L正极材料：硅负极材料：硅封装方式：塑封额定正向整流电流：1A最大正向压降：1V反向恢复时间：1ns外形尺寸：详见报告mm功耗：见规格书东莞市南晶电子有限公司为高质量半导体分立器件全球制造商与供应商。主要生产、研发产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置大功率整流模组，以
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2019-05-22 |
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